參數(shù)資料
型號(hào)： MJE18004D2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8-Bit Dual Supply Bidirectional Transceivers w/3-State Outputs
中文描述： 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大?。?/td> 466K
代理商： MJE18004D2
5
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 7. Base–Emitter Saturation Region
10
1
0.1
10
0.1
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.001
Figure 8. Base–Emitter Saturation Region
10
1
0.1
10
0.1
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.001
TJ = 125
°
C
TJ = –20
°
C
V
V
1
TJ = 125
°
C
TJ = 25
°
C
TJ = –20
°
C
IC/IB = 10
1
IC/IB = 5
Figure 9. Base–Emitter Saturation Region
10
1
0.1
10
0.1
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.001
Figure 10. Forward Diode Voltage
10
1
0.1
10
0.1
0.01
REVERSE EMITTER–COLLECTOR CURRENT (AMPS)
125
°
C
25
°
C
V
F
TJ = 125
°
C
TJ = –20
°
C
1
IC/IB = 20
Figure 11. Capacitance
1000
10
100
10
1
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
C
100
Cib (pF)
Cob
TJ = 25
°
C
f(test) = 1 MHz
Figure 12. BVCER = f(RBE)
1200
600
1000
100
10
BASE–EMITTER RESISTOR (
)
C
TC = 25
°
C
BVCER @ ICER = 10 mA
1000
800
BVCER(sus) @
ICER = 200 mA,
Lc = 25 mH
1
TJ = 25
°
C
TJ = 25
°
C
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PDF描述
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