參數(shù)資料
型號： MJD44H11I
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 113K
代理商： MJD44H11I
MJ
D44H1
1
—
NP
N
E
p
it
a
x
ial
Silicon
T
ransistor
2009 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
MJD44H11 Rev. B1
3
Typical Performance Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Safe Operating Area
Figure 3. Power Derating
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1000
V
CE = 1V
h
FE
,DC
CURR
E
N
T
G
A
IN
I
C[A], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
5m
s
100μ
s
500μ
s
1m
s
DC
I
CP(max)
I
C(max)
I C
[A
],
CO
L
E
C
T
O
R
C
URRE
NT
V
CE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
P
C
[W
],
POWER
DI
SSI
PA
TI
ON
T
C[
oC], CASE TEMPERATURE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD44H11-I 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD44H11 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD45H11 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD45H11T4 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD45H11-T1 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD44H11RL 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11RLG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11T4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Bipolar Transistor
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