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參數(shù)資料
| 型號： | MJD45H11-T1 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | MJD45H11-T1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD45H11I | 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD45H11-I | 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD47T4 | 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD47 | 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD50T4 | 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJD45H11T4 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD45H11-T4 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| MJD45H11T4-A | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| MJD45H11T4G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD45H11T4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTOR PNP -80V D-PAK |
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