參數(shù)資料
型號(hào)： MJD44H11I
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 113K
代理商： MJD44H11I
MJ
D44H1
1
—
NP
N
E
p
it
a
x
ial
Silicon
T
ransistor
2009 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
MJD44H11 Rev. B1
2
Electrical Characteristics T
a = 25°C unless otherwise noted
* Pulse Test: PW
≤300μs, Duty Cycle≤2%
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
VCEO(sus)
*Collector-Emitter Sustaining Voltage
IC = 30mA, IB = 0
80
V
ICEO
Collector Cut-off Current
VCE = 80V, IB = 0
10
μA
IEBO
Emitter Cut-off Current
VBE = 5V, IC = 0
50
μA
hFE
*DC Current Gain
VCE = 1V, IC = 2A
VCE = 1V, IC = 4A
60
40
VCE(sat)
*Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 8A, IB = 0.4A
1
V
VBE(on)
*Base-Emitter On Voltage
IC = 8A, IB = 0.8A
1.5
V
fT
Current Gain Bandwidth Product
VCE = 10V, IC = 0.5A
50
MHz
Cob
Output Capacitance
VCB =10V, f = 1MHz
130
pF
tON
Turn On Time
IC = 5A
IB1 = - IB2 = 0.5A
300
ns
tSTG
Storage Time
500
ns
tF
Fall Time
140
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD44H11-I 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD44H11 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD45H11 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD45H11T4 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD45H11-T1 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD44H11RL 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11RLG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11T4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Bipolar Transistor
MJD44H11T4-A 功能描述:TRANS NPN 80V 8A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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