參數(shù)資料
型號: MJD44H11-I
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: IPAK-3
文件頁數(shù): 1/5頁
文件大小: 113K
代理商: MJD44H11-I
MJ
D44H1
1
NP
N
E
p
it
a
x
ial
Silicon
T
ransistor
2009 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
MJD44H11 Rev. B1
1
March 2009
MJD44H11
NPN Epitaxial Silicon Transistor
General Purpose Power and Switching Such as Output or Driver Stages in Applications
D-PAK for Surface Mount Applications
Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix)
Straight Lead (I-PAK, "- I" Suffix)
Electrically Similar to Popular MJE44H
Fast Switching Speeds
Low Collector Emitter Saturation Voltage
Absolute Maximum Ratings T
a = 25°C unless otherwise noted
Thermal Characteristics T
a = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
VCEO
Collector-Emitter Voltage
80
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5
V
IC
Collector Current (DC)
8
A
ICP
Collector-Current (Pulse)
16
A
TJ
Junction Temperature
150
°C
TSTG
Storage Temperature
- 65 ~ 150
°C
Symbol
Parameter
Max.
Units
PD
Total Device Dissipation
Tc = 25°C
Ta = 25°C
20
1.75
W
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case
6.25
°C/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
71.4
°C/W
1.Base
2.Collector
3.Emitter
D-PAK
I-PAK
11
相關PDF資料
PDF描述
MJD44H11 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
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MJD45H11T4 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD45H11-T1 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD45H11I 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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