參數(shù)資料
型號： MJD32CT4
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
封裝： TO-252, DPAK-3
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大小： 265K
代理商： MJD32CT4
Revision history
MJD32C
8/9
Doc ID 13673 Rev 3
4
Revision history
Table 5.
Document revision history
Date
Revision
Changes
25-Jun-2007
1
Initial release.
09-Nov-2009
2
Updated package mechanical data.
14-Jan-2010
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD32TF 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD32I 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD340-I 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD340I 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD350-1 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD32CT4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR PNP -100V TO-252 制造商:STMicroelectronics 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-252
MJD32CT4-A 功能描述:兩極晶體管 - BJT LO PWR PNP PW TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD32CT4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD32CT4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MJD32CTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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