參數(shù)資料
型號: MJD32CT4
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
封裝: TO-252, DPAK-3
文件頁數(shù): 4/9頁
文件大?。?/td> 265K
代理商: MJD32CT4
Electrical characteristics
MJD32C
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Doc ID 13673 Rev 3
Figure 4.
DC current gain (VCE = - 2 V) Figure 5.
DC current gain (VCE = - 4 V)
Figure 6.
Collector-emitter saturation
voltage
Figure 7.
Base-emitter saturation
voltage
Figure 8.
Base-emitter on voltage
Figure 9.
Resistive load switching time
(on)
相關PDF資料
PDF描述
MJD32TF 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD32I 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD340-I 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD340I 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD350-1 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MJD32CT4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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