參數(shù)資料
型號： MJD32CT4
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
封裝： TO-252, DPAK-3
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大小： 265K
代理商： MJD32CT4
Electrical ratings
MJD32C
2/9
Doc ID 13673 Rev 3
1
Electrical ratings
Table 2.
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCBO
Collector-base voltage (IE = 0)
-100
V
VCEO
Collector-emitter voltage (IB = 0)
-100
V
VEBO
Emitter-base voltage (IC = 0)
-5
V
IC
Collector current
-3
A
ICM
Collector peak current
-5
A
IB
Base current
-1
A
PTOT
Total dissipation at Tc = 25 °C
15
W
TSTG
Storage temperature
-65 to 150
°C
TJ
Max. operating junction temperature
150
°C
Table 3.
Thermal data
Symbol
Parameter
Value
Unit
RthJC
Thermal resistance junction-case ________________Max
8.3
°C/W
RthJP
(1)
1.
When mounted on FR-4 board of 1 inch, 2 oz Cu.
Thermal resistance junction-pcb ________________ Max
50
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD32TF 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
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MJD340-I 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD340I 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD350-1 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MJD32CT4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD32CT4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MJD32CTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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