參數(shù)資料
型號： MJD32CT4
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
封裝： TO-252, DPAK-3
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大小： 265K
代理商： MJD32CT4
January 2010
Doc ID 13673 Rev 3
1/9
9
MJD32C
Low voltage PNP power transistor
Features
■ Surface-mounting TO-252 power package in
tape and reel
■ Complementary to the NPN type MJD31C
Application
■ General purpose linear and switching
equipment
Description
The device is manufactured in planar technology
with “base island” layout. The resulting transistor
shows exceptional high gain performance
coupled with very low saturation voltage.
Figure 1.
Internal schematic diagram
DPAK
TO-252
1
3
TAB
Table 1.
Device summary
Order code
Marking
Package
Packaging
MJD32CT4
MJD32C
DPAK
Tape and reel
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD32TF 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD32I 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD340-I 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD340I 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD350-1 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MJD32CT4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD32CT4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MJD32CTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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