參數(shù)資料
型號: MJD31CT4-A
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝: ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件頁數(shù): 8/9頁
文件大?。?/td> 260K
代理商: MJD31CT4-A
Revision history
MJD31CT4-A
8/9
Doc ID 13473 Rev 3
4
Revision history
Table 5.
Document revision history
Date
Revision
Changes
24-Apr-2007
1
Initial release.
09-Nov-2009
2
Updated package mechanical data.
14-Jan-2010
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD31TF 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD32-I 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD32C-I 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD32BT4 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
MJD31BT4 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD31CT4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31CT4G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:MJD Series 100 V 3 A NPN Complementary Power Transistor - TO-252
MJD31CTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31CTF_NBDD001 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31CTF_SBDD001A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2