參數(shù)資料
型號(hào)： MJD31CT4-A
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/9頁(yè)
文件大?。?/td> 260K
代理商： MJD31CT4-A
January 2010
Doc ID 13473 Rev 3
1/9
9
MJD31CT4-A
Low voltage NPN power transistor
Features
■ This device is qualified for automotive
application
■ Surface-mounting TO-252 power package in
tape and reel
■ Complementary to the PNP type MJD32C
Application
■ General purpose linear and switching
equipment
Description
The device is manufactured in planar technology
with “base island” layout. The resulting transistor
shows exceptional high gain performance
coupled with very low saturation voltage.
Figure 1.
Internal schematic diagram
DPAK
TO-252
1
3
TAB
Table 1.
Device summary
Order code
Marking
Package
Packaging
MJD31CT4-A
MJD31C
DPAK
Tape and reel
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD31TF 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD32-I 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD32C-I 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD32BT4 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
MJD31BT4 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD31CT4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31CT4G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:MJD Series 100 V 3 A NPN Complementary Power Transistor - TO-252
MJD31CTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31CTF_NBDD001 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31CTF_SBDD001A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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