參數(shù)資料
型號(hào)： MJD32BT4
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
封裝： TO-252, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 176K
代理商： MJD32BT4
MJD31B/31C
MJD32B/32C
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
s
STMicroelectronics PREFERRED
SALESTYPES
s
SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK)
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL
(SUFFIX "T4")
s
ELECTRICALLY SIMILAR TO TIP31B/C AND
TIP32B/C
APPLICATIONS
s
GENERAL PURPOSE SWITCHING AND
AMPLIFIER TRANSISTORS
DESCRIPTION
The MJD31B and MJD31C and the MJD32B and
MJD32C form complementary NPN-PNP pairs.
They are manufactured using Epitaxial Base
technology for cost-effective performance.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
May 1999
1
3
DPAK
TO-252
(Suffix "T4")
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
NPN
MJD31B
MJD31C
PNP
MJD32B
MJD32C
VCBO
Collector-Base Voltage (IE = 0)
80
100
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage (IB = 0)
80
100
V
VEBO
Emitter-Base Voltage (IC = 0)
5
V
IC
Collector Current
3
A
ICM
Collector Peak Current
5
A
IB
Base Current
1
A
Ptot
Total Dissipation at Tc = 25
oC15
W
Tstg
Storage Temperature
-65 to 150
oC
Tj
Max. Operating Junction Temperature
150
oC
For PNP types the values are intented negative.
1/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD31BT4 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
MJD32CT4-A 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
MJD32CT4 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
MJD32TF 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD32I 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD32BTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD32C 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD32C1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD32C-13 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 3A PNP SMT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD32C1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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