參數(shù)資料
型號(hào)： MJD32BT4
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
封裝： TO-252, DPAK-3
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 176K
代理商： MJD32BT4
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Max
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
8.33
100
oC/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25
oC unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICES
Collector Cut-off
Current (VBE = 0)
VCE = Max Rating
20
A
ICEO
Collector Cut-off
Current (IB = 0)
VCE = 60 V
50
A
IEBO
Emitter Cut-off Current
(IC = 0)
VEB = 5 V
0.1
mA
VCEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
IC = 30 mA
for MJD31B/32B
for MJD31C/32C
80
100
V
VCE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
IC = 3 A
IB = 375 mA
1.2
V
VBE(on)
Base-Emitter Voltage
IC = 3 A
VCE = 4 V
1.8
V
hFE
DC Current Gain
IC = 1 A
VCE = 4 V
IC = 3 A
VCE = 4 V
25
10
50
hfe
Dynamic Current Gain
IC = 0.5 A
VCE = 10 V
f = 1 KHz
IC = 0.5 A
VCE = 10 V
f = 1 MHz
20
3
Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle ≤ 2 %
For PNP type voltage and current values are negative.
Safe Operating Area
Derating Curves
MJD31B/31C - MJD32B/32C
2/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD31BT4 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
MJD32CT4-A 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
MJD32CT4 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
MJD32TF 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD32I 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD32BTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD32C 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD32C1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD32C-13 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 3A PNP SMT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD32C1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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