參數(shù)資料
型號： MJD31CT4-A
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件頁數(shù)： 2/9頁
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代理商： MJD31CT4-A
Electrical ratings
MJD31CT4-A
2/9
Doc ID 13473 Rev 3
1
Electrical ratings
Table 2.
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCBO
Collector-base voltage (IE = 0)
100
V
VCEO
Collector-emitter voltage (IB = 0)
100
V
VEBO
Emitter-base voltage (IC = 0)
5
V
IC
Collector current
3
A
ICM
Collector peak current
5
A
IB
Base current
1
A
PTOT
Total dissipation at Tc = 25 °C
15
W
TSTG
Storage temperature
-65 to 150
°C
TJ
Max. operating junction temperature
150
°C
Table 3.
Thermal data
Symbol
Parameter
Value
Unit
RthJC
Thermal resistance junction-case ________________Max
8.3
°C/W
RthJP
(1)
1.
When mounted on FR-4 board of 1 inch, 2 oz Cu.
Thermal resistance junction-pcb ________________ Max
50
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD31TF 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD32-I 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD32C-I 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD32BT4 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
MJD31BT4 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD31CT4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31CT4G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:MJD Series 100 V 3 A NPN Complementary Power Transistor - TO-252
MJD31CTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31CTF_NBDD001 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31CTF_SBDD001A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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