參數(shù)資料
型號： MJD31CT4-A
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大小： 260K
代理商： MJD31CT4-A
Electrical characteristics
MJD31CT4-A
4/9
Doc ID 13473 Rev 3
Figure 4.
DC current gain (VCE = 2 V)
Figure 5.
DC current gain (VCE = 4 V)
Figure 6.
Collector-emitter saturation
voltage
Figure 7.
Base-emitter saturation
voltage
Figure 8.
Base-emitter on voltage
Figure 9.
Resistive load switching time
(on)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD31TF 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD32-I 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD32C-I 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD32BT4 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
MJD31BT4 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
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參數(shù)描述
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MJD31CTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31CTF_NBDD001 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31CTF_SBDD001A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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