參數資料
型號： MIXA30W1200TED
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 43 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： SIXPACK, E2-PACK-28
文件頁數： 6/6頁
文件大小： 234K
代理商： MIXA30W1200TED
2010 IXYS All rights reserved
6 - 6
20100622b
MIXA30W1200TED
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
0
1
2
3
0
10
20
30
40
50
60
0
25
50
75
100
125
150
100
1000
10000
100000
V
F [V]
I
C
[A]
T
VJ = 25°C
Fig. 7 Typ. forward characteristic
Fig. 9 Typ. NTC resistance versus temperature
R
[Ω]
T
C [°C]
T
VJ = 125°C
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
t
p [s]
Z
thJC
[K/W]
Fig. 10 Typ. transient thermal impedance
Diode
IGBT
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Fig. 8 Typ. recovery energy E
rec versus di/dt
T
VJ = 125°C
V
R = 600 V
15 A
30 A
60 A
E
rec
[mJ]
di
F /dt [A/s]
NTC
IGBT
FRD
R
i
t
i
R
i
t
i
1
0.18
0.0025 0.3413 0.0025
2
0.14
0.03
0.2171
0.03
3
0.36
0.03
0.3475
0.03
4
0.16
0.08
0.2941
0.08
InverterD1-D6
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PDF描述
MIXA30WB1200TED 43 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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MIXA80W1200TEH 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA80WB1200TEH 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MJ10005PFI 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
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