參數(shù)資料
型號： MIXA30W1200TED
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 43 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： SIXPACK, E2-PACK-28
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 234K
代理商： MIXA30W1200TED
2010 IXYS All rights reserved
4 - 6
20100622b
MIXA30W1200TED
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
Partnumber
M = Module
I = IGBT
X = XPT
A = Standard
30 = Current Rating [A]
W = Six-Pack
1200 = Reverse Voltage [V]
T = NTC
ED = E2-Pack
Ordering
PartName
MarkingonProduct DeliveringMode BaseQty OrderingCode
Standard
MIXA30W1200 TED
MIXA30W1200TED
Box
6
508635
CircuitDiagram
OutlineDrawing
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394“)
X
0
baseplate typ. 100 m convex
over 75 mm before mounting
20.5
±0.1
17
±0.5
7
-0.5
2.1; l=6
0.2±
±0.1
±0.2
±0.3
Y
B
2.5
2.1
Detail Z
+0.3
6
6
1.5
Z
Detail X
0.05
±
0.02±
0.8
1.2
Detail Y
0.05±
±1°
15°
0.8
45
38.4
32
11
5.5
72.7
75.7
82.3
93
107.5
3.5
-0.5
42.69
38.88
54.12
50.31
61.74
65.55
76.98
73.17
19.83
16.02
31.26
27.45
0
20.95
11.43
7.62
11.43
20.95
76.98
61.74
2
1
6
5
3 4
8
7
9 10
12
11
86.1
73.17
57.93
38.88
42.69
23.64
19.83
24
21
22
23
19
20
17
18
n0.4
j
A B
A
15
14
13
27
28
16
25
26
23, 24
21, 22
19, 20
9
10
11
12
5
6
7
8
1
2
3
4
25, 26
27, 28
NTC
17
18
15, 16
13, 14
ProductMarking
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MIXA30WB1200TED 43 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA60W1200TED 85 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA80W1200TEH 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA80WB1200TEH 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MJ10005PFI 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MIXA30W1200TMH 功能描述:IGBT 模塊 Six-Pack XPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA30W1200TML 功能描述:IGBT 模塊 Six-Pack XPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA30WB1200TED 功能描述:IGBT 模塊 Converter-Brake Inverter Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA40W1200TED 功能描述:IGBT 模塊 Six-Pack XPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA40W1200TMH 功能描述:IGBT 模塊 1200V XPT Six Pack XPT IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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