參數(shù)資料
型號(hào)： MHV5IC1810NR2
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
中文描述： 射頻LDMOS寬帶集成功率放大器
文件頁(yè)數(shù)： 8/16頁(yè)
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代理商： MHV5IC1810NR2
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MHV5IC1810NR2
TYPICAL CHARACTERISTICS — 1930-1990 MHz
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 13. EVM and Power Added Efficiency
versus Output Power
100
4
10
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ1
= 105 mA
I
DQ2
= 90 mA
f = 1960 MHz
EDGE Modulation
8
6
0
10
0.1
2
20
50
40
30
0
10
PAE
T
C
= 85 C
EVM
25 C
E
P
100
85
45
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 14. Spectral Regrowth at 400 and 600 kHz
versus Output Power
55
60
65
70
75
80
0.1
10
T
C
= 85 C
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ1
= 105 mA
I
DQ2
= 90 mA
f = 1960 MHz
EDGE Modulation
25 C
85 C
30 C
SR @ 400 kHz
SR @ 600 kHz
S
1
30 C
50
1
30 C
25 C
190
10
8
90
1st Stage
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere
2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by I
D2
for MTTF in a particular application.
2nd Stage
100
110
120
130
140
150
160
170
180
10
5
10
4
10
6
10
7
Figure 15. MTTF Factor versus Junction Temperature
M
2
)
Figure 16. EDGE Spectrum
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
200 kHz
Span 2 MHz
Center 1.96 GHz
110
400 kHz
600 kHz
400 kHz
600 kHz
(
Reference Power
VBW = 30 kHz
Sweep Time = 70 ms
VBW = 30 kHz
GSM TEST SIGNAL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MHV5IC2215NR2_07 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
MHV5IC2215NR2 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
MHVIC2114NR2 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
MHVIC2115NR2 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
MHVIC910HNR2 921 MHz-960 MHz SiFET RF Integrated Power Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MHV5IC2215NR2 功能描述:射頻放大器 2.1GHZ IPA PFP16N RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類(lèi)型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類(lèi)型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MHV5IC2215NR2_07 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
MHVIC2114NR2 功能描述:射頻放大器 2.2GHZ IPA PFP-16N RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類(lèi)型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類(lèi)型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MHVIC2114R2 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
MHVIC2115NR2 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
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