參數(shù)資料
型號： MHV5IC1810NR2
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
中文描述： 射頻LDMOS寬帶集成功率放大器
文件頁數(shù)： 6/16頁
文件大小： 401K
代理商： MHV5IC1810NR2
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MHV5IC1810NR2
TYPICAL CHARACTERISTICS — 1930-1990 MHz
2000
27
1900
35
50
10
IRL
G
ps
IMD
f, FREQUENCY (MHz)
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 5 W (Avg.)
I
DQ1
= 120 mA, I
DQ2
= 90 mA
100 kHz Tone Spacing
34
15
33
20
32
25
31
30
30
35
29
40
28
45
1920
1940
1960
Figure 5. Two-Tone Wideband Performance
@ P
out
= 5 Watts (Avg.)
PAE
P
,
G
p
,
I
I
1980
2000
0
1900
35
70
0
IRL
G
ps
IMD
f, FREQUENCY (MHz)
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 20 dBm (Avg.)
I
DQ1
= 120 mA, I
DQ2
= 90 mA
100 kHz Tone Spacing
10
30
20
25
30
20
15
50
10
60
1920
1940
1960
Figure 6. Two-Tone Wideband Performance
@ P
out
= 20 dBm (Avg.)
PAE
P
,
G
p
,
I
I
1980
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 7. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
25
32
1
I
DQ1
= 120 mA
I
DQ2
= 140 mA
V
DD
= 28 Vdc
Center Frequency = 1960 MHz
100 kHz Tone Spacing
30
28
27
10
100
G
p
,
100
80
10
0.1
7th Order
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ1
= 120 mA, I
DQ2
= 90 mA
f = 1960 MHz, 100 kHz Tone Spacing
5th Order
3rd Order
1
10
20
30
40
50
60
70
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
I
5
40
31
29
26
I
DQ1
= 120 mA
I
DQ2
= 115 mA
I
DQ1
= 120 mA
I
DQ2
= 65 mA
I
DQ1
= 60 mA
I
DQ2
= 90 mA
I
DQ1
= 120 mA
I
DQ2
= 90 mA
I
DQ1
= 120 mA
I
DQ2
= 45 mA
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PDF描述
MHV5IC2215NR2_07 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
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參數(shù)描述
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MHVIC2114R2 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
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