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參數(shù)資料
| 型號： | MG300Q2YS61 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 2-109C4A, 7 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 代理商： | MG300Q2YS61 |
MG300Q2YS61
2002-08-29
6
Co
lle
ct
or
cu
rr
e
nt
I C
(A
)
Co
lle
ct
or
cu
rr
e
nt
I C
(A
)
Forward current IF (A)
Irr, trr – IF
P
eak
rev
ers
er
eco
ver
ycu
rr
ent
I rr
(A
)
Reve
rs
e
re
co
ve
ry
tim
e
t
rr
(
s)
Forward current IF (A)
Edsw – IF
Reve
rs
e
re
co
ve
ry
lo
ss
E
dsw
(m
J)
Collector-emitter voltage VCE (V)
C – VCE
C
apa
ci
ta
nce
C
(
p
F)
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe operating area
Collector-emitter voltage VCE (V)
Reverse bias soa
Pulse width tw (s)
Rth (t) – tw
T
ransi
e
nt
t
he
rm
al
r
esi
st
anc
e
R
th
(j
-c)
(°C
/W
)
10
0
50
100
150
200
250
300
1000
100
Common cathode
VCC = 600 V
RG = 2.7
VGE = ±15 V
: Tj = 25°C
: Tj = 125°C
trr
Irr
0.1
0
50
100
150
200
250
300
10
1
Common cathode
VCC = 600 V
RG = 2.7
VGE = ±15 V
: Tj = 25°C
: Tj = 125°C
300
0.1
10000
100000
1000
5000
50000
500
3000
30000
1
10
100
5
50
0.5
30
3
0.3
Common emitter
f
= 1 MHz
Cies
Coes
Cres
1
3
10
30
100
* Single nonrepetitive
pulse Tc
= 25°C
Curves must be derated
lineary with increase in
temperature.
1000
3000
300
3
10
30
100
300
1000
3000
IC max (pulsed) *
IC max (continuous)
DC operation
100
s*
1 ms*
50
s*
0
200
400
600
Tj <= 125°C
VGE = ±15 V
RG = 2.7
800
1000
1200
1400
10
100
1000
Tc
= 25°C
0.0003
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
Transistor stage
Diode stage
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG30J6ES50 | 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MG300Q2YS65H | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT |
| MG-3020DD | 制造商:EPSONTOYOCOM 制造商全稱:Epson ToYoCom 功能描述:Crystal oscillator |
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