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參數(shù)資料
| 型號： | MG30J6ES50 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 2-72A5A, 21 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MG30J6ES50 |
MG30J6ES50
2003-09-05
1
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG30J6ES50
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
The electrodes are isolated from case.
High input impedance.
6 IGBTs built into 1 package.
Enhancement-mode.
High speed: tf = 0.36s (Max.) (IC = 30A)
trr = 0.15s (Max.) (IF = 30A)
Low saturation voltage
: VCE (sat) = 2.70V (Max.) (IC = 30A)
Equivalent Circuit
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-72A5A
Weight: 225g
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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