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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MG30J6ES50 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 2-72A5A, 21 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 代理商： | MG30J6ES50 |
MG30J6ES50
2003-09-05
5
0
4
8
12
16
20
40
60
Common emitter
VCE = 5 V
Tc
= 125°C
40°C
25°C
Sw
itc
hin
gtim
e
(
s)
Sw
itc
hin
gtim
e
(
s)
Gate-emitter voltage VGE (V)
IC – VGE
Co
lle
ct
or
cu
rr
e
nt
I C
(A
)
Gate
-em
itt
er
volt
age
V
GE
(V
)
Charge QG (nC)
VCE, VGE – QG
Co
lle
ct
or
-e
m
itte
r
vo
lta
ge
V
CE
(V
)
Collector current IC (A)
Switching time – IC
Sw
itc
hin
gtim
e
(
s)
Collector current IC (A)
Switching time – IC
Gate resistance RG ()
Switching time – RG
Gate resistance RG ()
Switching time – RG
Sw
itc
hin
gtim
e
(
s)
0
40
80
120
160
200
100
200
300
400
500
0
4
8
12
16
20
Common emitter
RL = 10
Tc
= 25°C
VCE = 0
100 V
200 V
300 V
0.01
1
10
100
0.1
1
Common emitter
VCC = 300 V
VGE = ±15 V
RG = 39
: Tc
= 25°C
: Tc
= 125°C
ton
td (on)
tr
0.1
1
10
100
1
10
Common emitter
VCC = 300 V
VGE = ±15 V
RG = 39
toff
td (off)
tf
: Tc
= 25°C
: Tc
= 125°C
ton
tr
0.01
1
10
100
1000
0.1
1
10
Common emitter
VCC = 300 V
IC = 30 A
VGE = ±15 V
: Tc
= 25°C
: Tc
= 125°C
td (on)
toff
tf
0.01
1
10
100
1000
0.1
1
10
Common emitter
VCC = 300 V
IC = 30 A
VGE = ±15 V
: Tc
= 25°C
: Tc
= 125°C
td (off)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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