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參數(shù)資料
| 型號： | MG30J6ES50 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 2-72A5A, 21 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 代理商： | MG30J6ES50 |
MG30J6ES50
2003-09-05
6
Co
lle
ct
or
cu
rr
e
nt
I C
(A
)
T
ransi
e
nt
t
he
rm
al
r
esi
st
anc
e
R
th
(t)
(
°C
/W
)
Forward voltage VF (V)
IF – VF
Fo
rw
ar
dc
ur
ren
t
I F
(A
)
Forward current IF (A)
trr, Irr – IF
P
eak
rev
ers
er
eco
ver
ycu
rr
ent
I rr
(A
)
Reve
rs
e
re
co
ve
ry
tim
e
t
rr
(×
10
ns
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
C – VCE
C
apa
ci
ta
nce
C
(
p
F)
Pulse width tw (s)
Rth (t) – tw
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe operating area
Collector-emitter voltage VCE (V)
Reverse bias SOA
Co
lle
ct
or
cu
rr
e
nt
I C
(A
)
0
1
2
3
4
5
20
40
60
Tc
= 125°C
40°C
25°C
1
0
5
10
15
20
25
30
10
100
Common emitter
di/dt
= 100 A/s
VGE = 10 V
: Tc
= 25°C
: Tc
= 125°C
Irr
trr
1
0.1
1
10
100
1000
10
100
1000
10000
Common emitter
VGE = 0 V
f
= 1 MHz
Tc
= 25°C
Cies
Coes
Cres
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
FRD
IGBT
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
*: Single nonrepetitive
pulse Ta
= 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
IC max (pulse)
DC operation
IC max (continuous)
2
s*
50
s*
100
s*
1 ms*
0.01
0
0.1
1
10
100
200
400
600
800
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MG400Q2YS60A | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MG30Q2YK1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
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