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參數(shù)資料
| 型號： | MG30J6ES50 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 2-72A5A, 21 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MG30J6ES50 |
MG30J6ES50
2003-09-05
2
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
VCES
600
V
Gate-emitter voltage
VGES
±20
V
DC
IC
30
A
Collector current
1 ms
ICP
60
A
DC
IF
30
A
Forward current
1 ms
IFM
60
A
Collector power dissipation (Tc = 25°C)
PC
100
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
40~125
°C
Isolation voltage
VIsol
2500
(AC 1 min.)
V
Screw torque
―
3
Nm
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Gate leakage current
IGES
VGE = ±20 V, VCE = 0
―
±500
nA
Collector cut-off current
ICES
VCE = 600 V, VGE = 0
―
1.0
mA
Gate-emitter cut-off voltage
VGE (off)
IC = 3 mA, VCE = 5 V
5.0
―
8.0
V
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 30 A, VGE = 15 V
―
2.10
2.70
V
Input capacitance
Cies
VCE = 10 V, VGE = 0, f = 1 MHz
―
2500
―
pF
Turn-on delay time
td (on)
―
0.17
―
Rise time
tr
―
0.11
―
Turn-on time
ton
―
0.50
―
Turn-off delay time
td (off)
―
0.25
―
Fall time
tf
―
0.18
0.36
Switching time
Turn-off time
toff
Inductive load
VCC = 300 V
IC = 30 A
VGE = ±15 V
RG = 100
(Note 1)
―
0.55
0.80
s
Forward voltage
VF
IF = 30 A, VGE = 0
―
1.5
2.5
V
Reverse recovery time
trr
IF = 30 A, VGE = 10 V,
di/dt = 100 A/s
―
0.07
0.15
s
Transistor
―
1.25
Thermal resistance
Rth (j-c)
Diode
―
1.56
°C/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MG400Q2YS60A | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MG30M2YL1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG30N2YK1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG30N2YL1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG30Q2YK1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
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