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參數(shù)資料
| 型號： | MG300Q2YS61 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 2-109C4A, 7 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 代理商： | MG300Q2YS61 |
MG300Q2YS61
2002-08-29
1
TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG300Q2YS61
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
High input impedance
High speed: tf = 0.3 s (max)
Inductive load
Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.6 V (max)
Enhancement-mode
Includes a complete half bridge in one package.
The electrodes are isolated from case.
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Tc
==== 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
VCES
1200
V
Gate-emitter voltage
VGES
±20
V
Collector current
DC (Tc
= 80°C)
IC
300
A
Forward current
DC (Tc
= 80°C)
IF
300
A
Collector power dissipation
(Tc
= 25°C)
PC
2700
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
40 to 125
°C
Isolation voltage
Visol
2500
(AC 1 minute)
Vrms
Terminal
3
Nm
Screw torque
Mounting
3
Nm
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-109C4A
Weight: 430 g (typ.)
G1
E1
E1/C2
C1
E2
G2
E2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG30J6ES50 | 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG360V1US41 | 360 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG400J2YS50 | 400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG400Q1US51 | 520 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG400Q2YS60A | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MG300Q2YS65H | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT |
| MG-3020DD | 制造商:EPSONTOYOCOM 制造商全稱:Epson ToYoCom 功能描述:Crystal oscillator |
| MG30G2CL3 | 制造商:n/a 功能描述:_ 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| MG30G2YK1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG30G2YL1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
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