參數(shù)資料
型號(hào)： MG200J6ES60
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 2-123B1A, 17 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
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代理商： MG200J6ES60
MG200J6ES60
2004-02-17
6
Pulse width
tw
(s)
Rth (t) – tw
T
ra
n
sie
n
tt
h
e
rm
a
lre
sistan
c
e
R
th
(t
)
(°
C
/W
)
Collector-emitter voltage
VCE (V)
Reverse bias SOA
C
o
llect
or
c
u
rre
nt
I C
(A
)
Gate
-e
mi
tt
er
voltag
e
V
GE
(V
)
Charge
QG (nC)
VCE, VGE – QG
Col
lec
tor
-em
it
te
r
3
0.001
Diode stage
Tc
= 25°C
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
0.003
0.005
0.03
0.05
0.3
0.5
Inverter stage
500
0
Tj = ≤ 125°C
VGE = ±15 V
RG = 9.1
200
400
800
600
100
200
400
300
VCE = 0 V
100
500
0
400
800
2000
1600
100
200
400
1
3
300
200
20
16
12
8
4
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG200Q1JS40 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG200Q1US51 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG200Q2YS40 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG200Q2YS60A 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG240V1US41 240 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MG200J6ES61 功能描述:IGBT MOD CMPCT 600V 200A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
MG200M1UK1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES
MG200Q1JS40 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
MG200Q1UK1 制造商:n/a 功能描述:Darlington Module
MG200Q1US1 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
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