參數(shù)資料
型號： MG200Q2YS40
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 2-109C1A, 7 PIN
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大小： 408K
代理商： MG200Q2YS40
MG200Q2YS40
2001-08-16
1
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG200Q2YS40
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
High input impedance
High speed : tf = 0.5s (max)
trr = 0.5s (max)
Low saturation voltage
: VCE (sat) = 4.0V (max)
Enhancement-mode
The electrodes are isolated from case
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
VCES
1200
V
Gate-emitter voltage
VGES
±20
V
DC
IC
200
Collector current
1ms
ICP
400
A
DC
IF
200
Forward current
1ms
IFM
400
A
Collector power dissipation
(Tc = 25°C)
PC
1300
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
40 ~ 125
°C
Isolation voltage
VIsol
2500
(AC 1 min.)
V
Screw torque (Terminal / mounting)
―
3 / 3
Nm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-109C1A
Weight: 430g (typ.)
Unit: mm
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PDF描述
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