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參數(shù)資料
| 型號： | MG200J6ES60 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 2-123B1A, 17 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 代理商： | MG200J6ES60 |
MG200J6ES60
2004-02-17
5
S
w
it
c
h
in
g
los
s
(
m
J
)
F
o
rw
a
rd
cu
rr
e
n
t
I
F
(A)
Collector-emitter voltage
VCE
(V)
IC – VCE
C
o
llect
or
c
u
rre
nt
I C
(A
)
Collector-emitter voltage
VCE
(V)
IC – VCE
C
o
llect
or
c
u
rre
nt
I C
(A
)
Gate-emitter voltage
VGE (V)
IC – VGE
C
o
llect
or
c
u
rre
nt
I C
(A
)
Forward voltage
VF (V)
IF – VF
Collector current
IC (A)
Switching loss – IC
Gate resistance
RG ()
Switching loss – RG
S
w
it
c
h
in
g
los
s
(
m
J
)
400
0
VGE = 10 V
12 V
Common emitter
Tj = 25°C
1
2
3
4
5
80
160
240
20 V
13 V
15 V
320
400
0
VGE = 10 V
12 V
Common emitter
Tj = 125°C
1
2
3
4
5
80
160
240
20 V
13 V
15 V
320
400
0
Tj = 125°C
Common emitter
VCE = 5 V
1
2
3
4
5
80
160
240
40°C
320
25°C
50
1
10
Eon
Common emitter
VCC = 300 V
VGE = ±15 V
RG = 10
Tj = 125°C
100
1000
5
30
10
3
Eoff
50
1
Eon
Common emitter
VCC = 300 V
VGE = ±15 V
IC = 200 A
Tj = 125°C
10
100
5
30
10
3
Eoff
400
0
Tj = 125°C
Common cathode
VGE = 0 V
1
2
3
4
5
80
160
240
40°C
320
25°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG200Q1JS40 | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG200Q1US51 | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG200Q2YS40 | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG200Q2YS60A | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG240V1US41 | 240 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MG200J6ES61 | 功能描述:IGBT MOD CMPCT 600V 200A RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| MG200M1UK1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG200Q1JS40 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| MG200Q1UK1 | 制造商:n/a 功能描述:Darlington Module |
| MG200Q1US1 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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