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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MG200J6ES60 |
| 元件分類(lèi)： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 2-123B1A, 17 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/7頁(yè) |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MG200J6ES60 |
MG200J6ES60
2004-02-17
1
TOSHIBA IGBT Module
Silicon N Channel IGBT
MG200J6ES60(600V/200A 6in1)
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
Integrates inverter power circuit in to a single package.
The electrodes are isolated from case.
Low thermal resistance
VCE (sat) = 1.6 V (typ.)
Equivalent Circuit
Signal Terminal
CN-1
1.
E (W)
2.
G (W)
3.
E (V)
4.
G (V)
5.
E (U)
6.
G (U)
7.
TH1
8.
TH2
CN-2
1.
G (Z)
2.
G (Y)
3.
G (X)
4.
E (L)
P
CN-1:7
CN-1:8
N
CN-2:4
CN-2:3
CN-1:5
CN-1:6
CN-2:2
CN-1:3
CN-1:4
CN-2:1
CN-1:1
CN-1:2
U
V
W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG200Q1JS40 | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG200Q1US51 | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG200Q2YS40 | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG200Q2YS60A | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG240V1US41 | 240 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MG200J6ES61 | 功能描述:IGBT MOD CMPCT 600V 200A RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| MG200M1UK1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG200Q1JS40 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| MG200Q1UK1 | 制造商:n/a 功能描述:Darlington Module |
| MG200Q1US1 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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