參數(shù)資料
型號(hào)： MCIMX258CJM4
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 83/153頁
文件大小： 0K
描述： MPU IMX25 IND 400-MAPBGA
特色產(chǎn)品： MCIMX25 Applications Processors
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： i.MX25
核心處理器： ARM9
芯體尺寸： 32-位
速度： 400MHz
連通性： 1 線，CAN，EBI/EMI，以太網(wǎng)，I²C，MMC，智能卡，SPI，SSI，UART/USART，USB OTG
外圍設(shè)備： DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 128
程序存儲(chǔ)器類型： 外部程序存儲(chǔ)器
RAM 容量： 144K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.15 V ~ 1.52 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 3x12b
振蕩器型： 外部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 400-LFBGA
包裝： 托盤
i.MX25 Applications Processor for Consumer and Industrial Products, Rev. 10
Freescale Semiconductor
35
Table 26 shows the AC requirements for mobile DDR I/O.
Output pad slew rate2 (high drive)
tps
25 pF
50 pF
0.30/0.37
0.21/0.25
0.51/0.63
0.36/0.42
091/1.06
0.63/0.67
V/ns
Output pad slew rate2 (standard drive)
tps
25 pF
50 pF
0.22/0.26
0.13/0.16
0.37/0.44
0.23/0.26
0.65/0.72
0.39/0.40
V/ns
Output pad dI/dt3 (max. drive)
tdit
25 pF
50 pF
65
70
171
183
426
450
mA/ns
Output pad dI/dt3 (high drive)
tdit
25 pF
50 pF
31
33
82
87
233
245
mA/ns
Output pad dI/dt3 (standard drive)
tdit
25 pF
50 pF
16
17
43
46
115
120
mA/ns
Input pad transition times4
trfi
1.0 pF
0.07/0.08
0.11/0.13
0.16/0.20
ns
Input pad propagation delay, 50%–50%4
tpi
1.0 pF
0.84/0.84
1.40/1.34
2.25/2.16
ns
Input pad propagation delay, 40%–60%4
tpi
1.0 pF
1.66/1.66
2.22/2.16
3.06/2.97
ns
1 Maximum condition for tpr, tpo, tpi, and tpv: wcs model, 1.1 V, I/O 1.65 V, and 105 °C. Minimum condition for tpr, tpo, and tpv:
bcs model, 1.3 V, I/O 1.95 V and –40 °C. Input transition time from core is 1 ns (20%–80%).
2 Minimum condition for tps: wcs model, 1.1 V, I/O 1.65 V, and 105 °C. tps is measured between VIL to VIH for rising edge and
between VIH to VIL for falling edge.
3 Maximum condition for tdit: bcs model, 1.3 V, I/O 1.95 V, and –40 °C.
4 Maximum condition for tpi and trfi: wcs model, 1.1 V, I/O 1.65 V and 105 °C. Minimum condition for tpi and trfi: bcs model, 1.3 V,
I/O 1.95 V and –40 °C. Input transition time from pad is 5 ns (20%–80%).
Table 26. AC Requirements for Mobile DDR I/O
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Units
AC input logic high
VIH(ac)
0.8
× OVDD
OVDD+0.3
V
AC input logic low
VIL(ac)
–0.3
0.2
× OVDD
V
AC differential input voltage
Vid(ac)
0.6
× OVDD
OVDD+0.6
V
AC differential cross point voltage for input
Vix(ac)
0.4
× OVDD
OVDD+0.6
V
Table 25. AC Parameters for Mobile DDR pbijtov18_33_ddr_clk I/O (continued)
Parameter
Symbol
Load
Condition
Min.
Rise/Fall
Typ.
Max.
Rise/Fall
Units
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