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參數(shù)資料
| 型號： | MB81V4405C-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 1M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×4 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 100萬× 4位超頁模式動態(tài)RAM的CMOS（100萬× 4位超級頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 20/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 348K |
| 代理商： | MB81V4405C-60 |
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20
MB81V4405C-60/MB81V4405C-70
t
DH
t
DH
t
WCH
t
WCH
t
RP
t
CAH
t
ASC
Fig. 12 – HYPER PAGE MODE EARLY WRITE CYCLE
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
CAS
WE
DQ
(Input)
A
0
to A
9
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
DESCRIPTION
The hyper page mode early write cycle is executed in the same manner as the hyper page mode read cycle except WE is set to a
low state and OE is a “H” or “L” signal. Data appearing on the DQ pins is latched on the falling edge of CAS and the data is written
into the memory. During the hyper page mode write cycle, including the delayed (OE) write and read-modify-write cycles, t
CWL
must
be satisfied.
t
RASP
t
CRP
“H” or “L”
ROW
ADD
t
RSH
t
HPC
t
RCD
t
CSH
t
CAS
t
ASC
t
CAH
t
ASR
COL
ADD
COL
ADD
HIGH-Z
t
CAS
t
CAS
t
CP
COL
ADD
t
CAH
t
RAL
VALID
DATA
VALID
DATA
VALID
DATA
t
WCS
t
WCH
t
WCS
t
WCS
t
DS
t
ASC
t
RAH
t
DS
t
DS
t
DH
t
AR
t
WCR
t
DHR
t
RHPC
t
CWL
t
CWL
t
RWL
During one cycle is achieved, the input/output timing apply the same manner as the former cycle.
t
CWL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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