參數(shù)資料
型號: MB81V4400C-70
廠商: Fujitsu Limited
英文描述: CMOS 1M x 4 Bit Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M x 4位快速頁模式動態(tài)RAM)
中文描述: 100萬的CMOS × 4位快速頁面模式動態(tài)RAM的CMOS(100萬× 4位快速頁模式動態(tài)內(nèi)存)
文件頁數(shù): 14/26頁
文件大小: 302K
代理商: MB81V4400C-70
14
MB81V4400C-60/MB81V4400C-70
COL
ADD
VALID
DATA IN
ROW
ADD
HIGH-Z
HIGH-Z
VALID
HIGH-Z
“H” or “L”
DESCRIPTION
The read-modify-write cycle is executed by changing WE from High to Low after the data appears on the DQ pins. In the read-
modify-write cycle, OE must be changed from Low to High after the memory access time.
Fig. 8 – READ-MODIFY-WRITE CYCLE
t
RWC
t
RAS
t
RP
t
CRP
t
RCD
t
ASR
t
CSH
t
CAS
t
RSH
t
RAD
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RAL
t
RCS
t
CWD
t
AWD
t
RWD
t
CWL
t
RWL
t
DZC
t
DS
t
WP
t
CAC
t
OEA
t
OEH
t
AA
t
ON
t
OED
t
RAC
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
CAS
WE
DQ
(Output)
A
0
to A
9
DQ
(Input)
V
IH
V
IL
OE
V
IH
V
IL
t
DZO
t
OEZ
t
DH
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PDF描述
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