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參數(shù)資料
| 型號： | MB81V4400C-70 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 1M x 4 Bit Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M x 4位快速頁模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 100萬的CMOS × 4位快速頁面模式動態(tài)RAM的CMOS（100萬× 4位快速頁模式動態(tài)內存） |
| 文件頁數(shù)： | 10/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 302K |
| 代理商： | MB81V4400C-70 |
10
MB81V4400C-60/MB81V4400C-70
I
FUNCTIONAL TRUTH TABLE
X; “H” or “L”
*; It is impossible in Fast Page Mode.
Operation Mode
Clock Input
Address
Input Data
Refresh
Note
RAS CAS
WE
OE
Row
Col-
umn
Input
Output
Standby
H
H
X
X
—
—
—
High-Z
—
Read Cycle
L
L
H
L
Valid
Valid
—
Valid
Yes*
t
RCS
≥
t
RCS
(min.)
Write Cycle
(Early Write)
L
L
L
X
Valid
Valid
Valid
High-Z
Yes*
t
WCS
≥
t
WCS
(min.)
Read-Modify-
Write Cycle
L
L
H
→
L
L
→
H
Valid
Valid
Valid
Valid
Yes*
t
CWD
≥
t
CWD
(min.)
RAS-only
Refresh Cycle
L
H
X
X
Valid
—
—
High-Z
Yes
CAS-before-RAS
Refresh Cycle
L
L
H
X
—
—
—
High-Z
Yes
t
CSR
≥
t
CSR
(min.)
Hidden Refresh
Cycle
H
→
L
L
H
L
—
—
—
Valid
Yes
Previous data is
kept.
Test mode Set
Cycle (CBR)
L
L
L
X
—
—
—
High-Z
Yes
t
CSR
≥
t
CSR
(min.)
t
WSR
≥
t
WSR
(min.)
t
CSR
≥
t
CSR
(min.)
t
WSR
≥
t
WSR
(min.)
Test mode Set
Cycle (Hidden)
H
→
L
L
L
X
—
—
—
Valid
Yes
Fig. 4 – t
CPA
vs. t
CP
t
RAC
(ns)
t
RCD
(ns)
t
RAD
(ns)
t
CP
(ns)
Fig. 2 – t
RAC
vs. t
RCD
Fig. 3 – t
RAC
vs. t
RAD
t
RAC
(ns)
t
CPA
(ns)
60ns Version
70ns Version
140
120
100
80
60
20
40
60
80
100 120
70ns version
100
90
80
70
60
10
30
40
50
60
40
50
80
70
60
50
40
10
20
30
40
50
60
30
60ns Version
70ns
Version
60ns
version
20
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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