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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB814405D-7OL |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 1M ×4BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×4 位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 100萬(wàn)× 4位超頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（100萬(wàn)× 4位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/29頁(yè) |
| 文件大小： | 596K |
| 代理商： | MB814405D-7OL |
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14
MB814405D-60/60L/-70/70L
Fig. 7 – DELAYED WRITE CYCLE (OE CONTROLLED)
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
CAS
WE
DQ
(Input)
A
0
to A
9
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
V
IH
V
IL
OE
DESCRIPTION
In the delayed write cycle, t
WCS
is not satisfied; thus, the data on the DQ pins is latched with the falling edge of WE and written
into memory. The Output Enable (OE) signal must be changed from Low to High before WE goes Low (t
OED
+ t
T
+ t
DS
).
“H” or “L”
Invalid Data
t
RC
t
RAS
t
RCD
t
CRP
t
ASR
t
CAH
t
RCS
t
DZC
t
RP
t
ASC
t
RAH
t
CWL
t
WP
t
DS
t
DH
t
OED
t
DZO
t
OEH
ROW
ADD
COL
ADD
t
WCH
t
RWL
HIGH-Z
HIGH-Z
HIGH-Z
t
ON
t
ON
t
AR
t
CAS
t
CSH
t
RSH
t
OEZ
VALID
DATA IN
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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