參數(shù)資料
型號： MB814265-70
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 256K ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 256K × 16位的超頁模式動態(tài)RAM的CMOS（256K × 16位超級頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 13/28頁
文件大小： 364K
代理商： MB814265-70
13
MB814265-60/MB814265-70
Fig. 6 – EARLY WRITE CYCLE
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
LCAS
or
UCAS
WE
DQ
(Input)
A
0
to A
8
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
DESCRIPTION
A write cycle is similar to a read cycle except WE is set to a Low state and OE is a “H” or “L” signal. A write cycle can be
implemented in either of three ways-early write, delayed write, or read-modify-write. During all write cycles, timing param-
eters t
RWL
, t
CWL
, t
RAL
and t
CAL
must be satisfied. In the early write cycle shown above t
WCS
satisfied, data on the DQ pins are
latched with the falling edge of LCAS or UCAS and written into memory.
t
RC
t
RAS
t
RP
t
CSH
t
RCD
t
CRP
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
HIGH-Z
“H” or ”L”
ROW ADD
COLUMN ADD
t
WCR
t
WCS
t
WCH
t
DH
t
DS
VALID DATA IN
t
RSH
t
AR
t
DHR
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PDF描述
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參數(shù)描述
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