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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB814100D-70 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×1位速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 4米× 1位快速頁(yè)面模式的DRAM（的CMOS 4米× 1位速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/23頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 238K |
| 代理商： | MB814100D-70 |
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6
MB814100D-60/MB814100D-70
I
DC CHARACTERISTICS
(Recommended operating conditions unless otherwise noted.) Note 3
Parameter
Notes
Symbol
Condition
Values
Unit
Min.
Typ.
Max.
Output High Voltage
V
OH
I
OH
= –5.0 mA
2.4
—
—
V
Output Low Voltage
V
OL
I
OL
= 4.2 mA
—
—
0.4
Input Leakage Current (Any Input)
I
I(L)
0 V
≤
V
IN
5.5 V;
4.5 V
≤
V
CC
≤
5.5 V;
V
SS
= 0 V; All other pins
not under test = 0 V
0V
≤
V
OUT
≤
5.5V;
Data out disabled
–10
—
10
μ
A
Output Leakage Current
I
O(L)
–10
—
10
Operating Current
(Average Power
Supply Current)
MB814100D-60
I
CC1
RAS & CAS cycling;
t
RC
= min.
—
—
mA
MB814100D-70
Standby Current
(Power Supply
Current)
TTL level
I
CC2
RAS = CAS = V
IH
—
—
mA
CMOS level
RAS = CAS
≥
V
CC
– 0.2 V
Refresh Current #1
(Average Power
Supply Current)
MB814100D-60
I
CC3
CAS = V
IH
, RAS cycling;
t
RC
= min.
—
—
mA
MB814100D-70
Fast Page Mode
Current
MB814100D-60
I
CC4
RAS = V
IL,
CAS cycling;
t
PC
= min.
—
—
mA
MB814100D-70
Refresh Current #2
(Average Power
Supply Current)
MB814100D-60
I
CC5
RAS cycling;
CAS-before-RAS;
t
RC
= min.
—
—
mA
MB814100D-70
1
1
2
110
100
2.0
1.0
2
110
100
2
55
50
2
110
100
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PDF描述 |
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