參數(shù)資料
型號： MB814100D-70
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×1位速頁面存取模式動態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 4米× 1位快速頁面模式的DRAM（的CMOS 4米× 1位速頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 12/23頁
文件大?。?/td> 238K
代理商： MB814100D-70
12
MB814100D-60/MB814100D-70
t
CAH
“H” or “L”
ROW ADD
VALID
DATA
HIGH-Z
Fig. 5 – READ CYCLE
COLUMN ADD
DESCRIPTION
To implement a read operation, a valid address is latched in by the RAS and CAS address strobes and with WE set to a High level,
the output is valid once the memory access time has elapsed. The access time is determined by RAS(t
RAC
), CAS(t
CAC
), or column
addresses (t
AA
), if t
RCD
(RAS to CAS delay time) is greater than the specification, the access time is t
AA
under the following conditions:
If t
RCD
> t
RCD
(max.), access time = t
CAC
.
If t
RAD
> t
RAD
(max.), access time = t
AA
.
D
out
A
0
to A
10
CAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
WE
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
RAS
V
IH
V
IL
t
RC
t
RAS
t
CRP
t
RCD
t
CSH
t
RP
t
RSH
t
CAS
t
RAD
t
RAL
t
CAL
t
RAH
t
ASC
t
ASR
t
OH
t
RCH
t
RCS
t
AA
t
CAC
t
RAC
t
OFF
t
ON
t
RRH
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PDF描述
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