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參數(shù)資料
| 型號： | MB8117805A-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2M ×8 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 2M ×8 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 200萬× 8位超頁模式動態(tài)RAM的CMOS（200萬× 8位超級頁面存取模式動態(tài)內存） |
| 文件頁數(shù)： | 20/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 569K |
| 代理商： | MB8117805A-60 |
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20
MB8117805A-60/MB8117805A-70
CAS
Fig. 12 – HYPER PAGE MODE EARLY WRITE CYCLE
V
IH
V
IL
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
A
0
to A
10
WE
DQ
(Input)
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
“H” or “L”
DESCRIPTION
The hyper page mode early write cycle is executed in the same manner as the hyper page mode read cycle except the states of WE
and OE are reversed. Data appearing on the DQ pins are latched on the falling edge of CAS and the data is written into the memory.
During the hyper page mode early write cycle, including the delayed (OE) write and read-modify-write cycles, t
CWL
must be satisfied.
During one cycle is achieved, the input/output timing apply the same manner as the former cycle.
t
RASP
t
RP
ROW
ADD
t
RSH
t
HPC
t
RCD
t
CSH
t
CAS
t
ASC
t
CAH
COL
ADD
COL
ADD
HIGH-Z
t
CAS
t
CAS
t
CP
COL
ADD
t
CAH
t
ASC
t
CAH
VALID
DATA
VALID
DATA
VALID
DATA
t
WCS
t
WCH
t
WCS
t
WCH
t
WCS
t
WCH
t
DS
t
DH
t
ASC
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
AR
t
WCR
t
DHR
t
RHCP
t
RAL
t
CWL
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
CWL
t
CWL
t
RWL
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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