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參數(shù)資料
| 型號： | MB8117805A-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2M ×8 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 2M ×8 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 200萬× 8位超頁模式動態(tài)RAM的CMOS（200萬× 8位超級頁面存取模式動態(tài)內存） |
| 文件頁數(shù)： | 14/30頁 |
| 文件大小： | 569K |
| 代理商： | MB8117805A-60 |
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14
MB8117805A-60/MB8117805A-70
CAS
“H” or “L”
DESCRIPTION
A write cycle is similar to a read cycle except WE is set to a Low state and OE is an “H” or “L” signal. A write cycle can
be implemented in either of three ways–early write, delayed write, or read-modify-write. During all write cycles, timing
parameters t
RWL
, t
CWL
, t
RAL
and t
CAL
must be satisfied. In the early write cycle shown above t
WCS
satisfied, data on the DQ
pins are latched with the falling edge of CAS and written into memory.
Fig. 6 – EARLY WRITE CYCLE
RAS
A
0
to A
10
WE
DQ
(Input)
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
t
RC
t
RAS
t
RP
t
CSH
t
RCD
t
CRP
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
HIGH-Z
ROW ADD
COLUMN ADD
t
WCR
t
WCS
t
WCH
t
DH
t
DS
VALID DATA IN
t
RSH
t
AR
t
DHR
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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