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參數(shù)資料
| 型號： | MB8117400A-70 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4 M ×4 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×4位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 4米× 4位快速頁面模式的DRAM（的CMOS 4米× 4位快速頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 19/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 304K |
| 代理商： | MB8117400A-70 |
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19
MB8117400A-50/MB8117400A-60/MB8117400A-70
OE
RAS
“H” or “L”
Invalid Data
DQ
(Output)
DQ
(Input)
COL
ADD
ROW
ADD.
COL
ADD
COL
ADD
VALID
VALID
VALID
HIGH-Z
t
DZO
DESCRIPTION
The fast page mode OE (delayed) write cycle is executed in the same manner as the fast page mode write cycle except for the states
of WE and OE. Input data on the DQ pins are latched on the falling edge of WE and written into memory. In the fast page mode delayed
write cycle, OE must be changed from Low to High before WE goes Low (t
OED
+ t
DS
).
Fig. 10 – FAST PAGE MODE OE WRITE CYCLE
t
RASP
t
RSH
t
RP
t
PC
t
CSH
t
CAS
t
CRP
t
RCD
t
CAS
t
ASR
t
CAH
t
RCS
t
CAH
t
DH
t
RWL
t
WP
t
WP
t
AA
t
CWL
t
CPWD
t
CWL
t
CWL
t
RAL
t
RHCP
t
ASC
t
CAH
t
ASC
t
AR
t
RAH
t
ASC
t
CP
t
WP
t
DS
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DZC
t
AA
t
AA
t
CAC
t
OED
t
OED
t
RAC
t
OEH
t
CAC
t
OEH
t
CAC
t
OED
t
OEH
t
OEZ
t
OEA
t
OEZ
t
OEA
t
OEZ
t
OEA
V
IH
V
IL
A
0
to A
10
CAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
WE
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
t
RAD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB8117400B-50 | 4 M ×4 BITS Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁面存取模式RAM) |
| MB8117400B-60 | 4 M ×4 BITS Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁面存取模式RAM) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MB8117800A-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2 M X 8 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM |
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