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參數(shù)資料
| 型號： | MB8116400B-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 4 M ×4 BITS Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁面存取模式RAM) |
| 中文描述： | 4米× 4位快速頁面模式動態(tài)RAM（的CMOS 4米× 4位快速頁面存取模式的RAM） |
| 文件頁數(shù)： | 8/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 517K |
| 代理商： | MB8116400B-60 |
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8
MB8116400B-50/-60
I
DC CHARACTERISTICS
(At recommended operating conditions unless otherwise noted.)
Note 3
Parameter
Notes
Symbol
Conditions
Values
Unit
Min.
Typ.
Max.
Output High Voltage
V
OH
I
OH
= –5.0 mA
2.4
—
—
V
Output Low Voltage
V
OL
I
OL
= 4.2 mA
0 V
≤
V
IN
≤
V
CC
;
4.5 V
≤
V
CC
≤
5.5 V;
V
SS
= 0 V; All other pins
under test = 0 V
0 V
≤
V
OUT
≤
V
CC
;
Data out disabled
—
—
0.4
Input Leakage Current (Any Input)
I
I(L)
–10
—
10
μ
A
Output Leakage Current
I
O(L)
–10
—
10
Operating Current
(Average Power
Supply Current)
*2
MB8116400B-50
I
CC1
RAS & CAS cycling;
t
RC
= min
—
—
mA
MB8116400B-60
Standby Current
(Power Supply
Current)
*2
TTL level
I
CC2
RAS = CAS = V
IH
—
—
mA
CMOS level
RAS = CAS
≥
V
CC
–0.2 V
Refresh Current #1
(Average Power
Supply Current)
*2
MB8116400B-50
I
CC3
CAS = V
IH
, RAS cycling;
t
RC
= min
—
—
mA
MB8116400B-60
Fast Page Mode
Current
*2
MB8116400B-50
I
CC4
RAS = V
IL
, CAS cycling;
t
RC
= min
—
—
mA
MB8116400B-60
Refresh Current #2
(Average Power
Supply Current)
*2
MB8116400B-50
I
CC5
RAS cycling;
CAS-before-RAS;
t
RC
= min
—
—
mA
MB8116400B-60
90
75
2.0
1.0
90
75
80
70
90
75
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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