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參數(shù)資料
| 型號： | MB8116400B-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 4 M ×4 BITS Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁面存取模式RAM) |
| 中文描述： | 4米× 4位快速頁面模式動態(tài)RAM（的CMOS 4米× 4位快速頁面存取模式的RAM） |
| 文件頁數(shù)： | 16/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 517K |
| 代理商： | MB8116400B-60 |
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16
MB8116400B-50/-60
VALID
DATA IN
COL
ADD
ROW
ADD
HIGH-Z
HIGH-Z
VALID
HIGH-Z
Fig. 8 – READ-MODIFY-WRITE-CYCLE
DESCRIPTION
The read-modify-write cycle is executed by changing WE from High to Low after the data appears on the DQ pins. In the read-
modify-write cycle, OE must be changed from Low to High after the memory access time.
t
RP
t
RWC
t
RAS
t
CRP
t
RCD
t
RAD
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RWD
t
AWD
t
CWD
t
CWL
t
RWL
t
RCS
t
DZC
t
RAC
t
DS
t
WP
t
DH
t
OEH
t
OED
t
CAC
t
AA
t
ON
t
OEA
t
DZO
t
OEZ
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
RAS
A
0
to A
11
WE
DQ
(Input)
OE
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
CAS
t
CSH
t
CAS
t
RSH
t
RAL
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “
L
”
level,
“H”
→
“
L
” or “L”
→
“
H
” transition (Address and DQ)
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