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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB8116400B-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 4 M ×4 BITS Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁面存取模式RAM) |
| 中文描述： | 4米× 4位快速頁面模式動(dòng)態(tài)RAM（的CMOS 4米× 4位快速頁面存取模式的RAM） |
| 文件頁數(shù)： | 19/27頁 |
| 文件大小： | 517K |
| 代理商： | MB8116400B-60 |
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19
MB8116400B-50/-60
COL
ADD
ROW
ADD.
COL
ADD
COL
ADD
VALID
VALID
VALID
HIGH-Z
t
DZO
Fig. 11 – FAST PAGE MODE OE WRITE CYCLE
DESCRIPTION
The fast page mode OE (delayed) write cycle is executed in the same manner as the fast page mode write cycle except for
the states of WE and OE. Input data on the DQ pins are latched on the falling edge of WE and written into memory. In the
fast page mode delayed write cycle, OE must be changed from Low to High before WE goes Low (t
OED
+ t
DS
).
t
RASP
t
RSH
t
RP
t
RHCP
t
PC
t
CRP
t
RCD
t
CSH
t
CAS
t
RAD
t
CAS
t
RAL
t
RWL
t
CAH
t
ASC
t
CAH
t
ASC
t
CAH
t
CWL
t
ASC
t
RAH
t
AR
t
WP
t
CWL
t
CWL
t
RCS
t
CPWD
t
RAC
t
DZC
t
OEH
t
OED
t
DH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
RAS
A
0
to A
11
WE
DQ
(Input)
OE
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
CAS
t
ASR
t
WP
t
WP
t
DS
t
DH
t
DS
t
OEZ
t
CAC
t
AA
t
OEH
t
OEZ
t
OEZ
t
OEA
t
OEA
t
OEA
t
CAC
t
OED
t
OED
t
AA
t
AA
t
CAC
t
DH
t
DS
t
CP
t
OEH
Invalid Data
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “
L
”
level,
“H”
→
“
L
” or “L”
→
“
H
” transition (Address and DQ)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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