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參數(shù)資料
| 型號： | MB8116400B-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 4 M ×4 BITS Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁面存取模式RAM) |
| 中文描述： | 4米× 4位快速頁面模式動態(tài)RAM（的CMOS 4米× 4位快速頁面存取模式的RAM） |
| 文件頁數(shù)： | 7/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 517K |
| 代理商： | MB8116400B-60 |
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7
MB8116400B-50/-60
I
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (See WARNING)
WARNING:
Permanent device damage may occur if the above
Absolute Maximum Ratings
are exceeded.
Functional operation should be restricted to the conditions as detailed in the operational sections of
this data sheet. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device
reliability.
I
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
* :Undershoots of up to –2.0 volts with a pulse width not exceeding 20 ns are acceptable.
I
CAPACITANCE
(T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
Parameter
Symbol
Value
Unit
Voltage at Any Pin Relative to V
SS
V
IN
, V
OUT
–0.5 to +7
V
Voltage of V
CC
Supply Relative to V
SS
V
CC
–0.5 to +7
V
Power Dissipation
PD
1.0
W
Short Circuit Output Current
—
–50 to +50
mA
°
C
°
C
Operating Temperature
T
OPE
0 to 70
Storage Temperature
T
STG
–55 to +125
Parameter
Notes
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Ambient
Operating Temp.
Supply Voltage
*1
V
CC
4.5
5.0
5.5
V
0
°
C to +70
°
C
V
SS
0
0
0
Input High Voltage, all inputs
*1
V
IH
2.4
—
6.5
V
Input Low Voltage, all inputs/outputs*
*1
V
IL
–0.3
—
0.8
V
Parameter
Symbol
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance, A
0
toA
11
C
IN1
—
5
pF
Input Capacitance, RAS, CAS, WE, OE
C
IN2
—
5
pF
Input/Output Capacitance, DQ
1
to DQ
4
C
DQ
—
7
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB8116405A-60 | CMOS 4M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4M ×4 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| MB8116405A-70 | CMOS 4M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4M ×4 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MB8117800A-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2 M X 8 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM |
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| MB812.833 | 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:* |
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