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參數(shù)資料
| 型號： | M5M4V64S40ATP-10L |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 64M (4-BANK x 1048576-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 64M號（4銀行甲1048576字x 16位）同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 16/51頁 |
| 文件大小： | 1084K |
| 代理商： | M5M4V64S40ATP-10L |
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MITSUBISHI LSIs
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev.1.3)
Mar'98
M5M4V64S40ATP-8A,-8L,-8, -10L, -10
64M (4-BANK x 1048576-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM
Multi Bank Interleaving READ (BL=4, CL=3)
CLK
Command
A0-9
A10
BA0,1
DQ
ACT
Xa
Xa
00
READ
Y
0
00
READ
Y
0
10
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Qb0
Qb1
Qb2
ACT
Xb
Xb
10
PRE
0
00
tRCD
/CAS latency
Burst Length
A11
Xa
Xb
READ with Auto-Precharge (BL=4, CL=3)
CLK
Command
A0-9
A10
BA0,1
DQ
ACT
Xa
Xa
00
READ
Y
1
00
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
ACT
Xa
Xa
00
Internal precharge start
tRCD
tRP
A11
Xa
Xa
BL
BL + tRP
READ Auto-Precharge Timing (BL=4)
CLK
Command
ACT
READ
Internal Precharge Start Timing
DQ
DQ
CL=3
CL=2
Qa1
Qa2
Qa3
Qa0
BL
Qa1
Qa2
Qa3
Qa0
16
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M5M4V64S40ATP-8 | 64M (4-BANK x 1048576-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S40ATP-8A | 64M (4-BANK x 1048576-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S40ATP-8L | 64M (4-BANK x 1048576-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M51008CCP-55H | 1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM |
| M5M51008CCP-55X | 1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M5M4V64S40ATP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 1048576-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S40ATP-8A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 1048576-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S40ATP-8L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 1048576-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:MEDIUM CURRENT SILICON RECTIFIERS |
| M5M51008AFP-10L | 制造商:Mitsubishi Electric 功能描述:Static RAM, 128Kx8, 32 Pin, Plastic, SOP |
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