- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359082 > M58LW064C110N1T (意法半導體) 64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M58LW064C110N1T |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位（4Mb的x16插槽，統(tǒng)一座，突發(fā)）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 43/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 319K |
| 代理商： | M58LW064C110N1T |
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M58LW064A, M58LW064B
Figure 22. Erase Flowchart and Pseudo Code
Note: 1. If an error is found, the Status Register must be cleared (CLRS instruction) before further P/E.C. operations.
Write
20h
Command
AI00613B
Start
Write Block
Address
& D0h Command
Read Status
Register
YES
NO
b7 = 1
YES
NO
b3 = 0
NO
b4, b5 = 0
VPP
Invalid
Error (1)
Command
Sequence Error
EE
instruction:
– write20h
command
– writeBlock
Address
(A12-A17) & command
D0h
(memory enters read status
state after the EE instruction)
do:
– read status
register
(E or G must be
toggled)
if EE instruction given
execute
suspend erase loop
while b7 = 1
If b3 = 1, VPPinvalid
error:
– errorhandler
If b4, b5 = 1, Command Sequence
error:
– errorhandler
YES
NO
b5 = 0
Erase
Error (1)
YES
NO
Suspend
Suspend
Loop
If b5 = 1, Erase
error:
– errorhandler
YES
End
YES
NO
b1 = 0
Erase to
Protected
Block Error
If b1 = 1, Erase to Protected Block Error:
– errorhandler
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58LW064BZA | 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| M58LW064A150NH6T | 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| M58LW064B150NH6T | 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| M58LW064BNH | 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| M58LW064BNF | 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| M58LW064C110N6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW064C110ZA1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW064C110ZA6 | 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 110ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M58LW064C110ZA6T | 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 110ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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