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參數(shù)資料
| 型號： | M58LW064C110N1T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位（4Mb的x16插槽，統(tǒng)一座，突發(fā)）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 29/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 319K |
| 代理商： | M58LW064C110N1T |
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29/53
M58LW064A, M58LW064B
Table 23. Asynchronous Random Read
(T
A
= 0 to 70
°
C, –40 to 85
°
C, V
DD
= 2.7V to 3.6V, V
DDQ
= 1.8V to V
DD
)
Symbol
Parameter
Note: 1. Output Enable G may be delayed up to t
ELQV
- t
GLQV
after the falling edge of Chip Enable E without increasing t
ELQV
.
Test Condition
Min
Max
Unit
t
AVAV
Address Valid to Address Valid
E = V
IL
, G = V
IL
150
ns
t
AVQV
Addrss Valid to Output Valid
E = V
IL
, G = V
IL
150
ns
t
AXQX
Address Transition to Output Transition
E = V
IL
, G = V
IL
0
ns
t
EHLX
Chip Enable High to Latch Enable Transition
0
ns
t
EHQX
Chip Enable High to Output Transition
G = V
IL
0
ns
t
EHQZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
G = V
IL
10
ns
t
ELQV(1)
Chip Enable Low toOutput Valid
G = V
IL
150
ns
t
ELQX
Chip Enable Low toOutput Transition
G = V
IL
0
ns
t
GHQX
Output Enable High to Output Transition
E = V
IL
0
ns
t
GHQZ
Output Enable High to Output Hi-Z
E = V
IL
10
ns
t
GLQV
Output Enable Low to Output Valid
E = V
IL
50
ns
t
GLQX
Output Enable to Output Transition
E = V
IL
0
ns
t
LLEL
Latch Enable Low to Chip Enable Low
10
ns
Figure 9. Asynchronous Random Read AC Waveforms
Asynchronous Read (M15 = 1), Random (M3 = 0)
AI03250
E
G
L
A1-A22
(1)
DQ0-DQx
(2)
VALID
tLLEL
tAXQX
tELQV
tELQX
tAVQV
tGLQX
tGLQV
tEHQZ
tEHQX
tEHLX
tGHQX
tGHQZ
See also Page Read
(1)
A1 is not used (Don’t Care) in x32
organization
(2)
DQ0-DQ15 in x16 or DQ0-DQ31 in x32 organization
OUTPUT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58LW064BZA | 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| M58LW064A150NH6T | 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| M58LW064B150NH6T | 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| M58LW064BNH | 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| M58LW064BNF | 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58LW064C110N6 | 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 110ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M58LW064C110N6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW064C110ZA1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW064C110ZA6 | 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 110ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M58LW064C110ZA6T | 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 110ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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