- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383299 > M39832-B12WNE1T (意法半導(dǎo)體) TVS UNI-DIR 30V 600W DO-15 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M39832-B12WNE1T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | TVS UNI-DIR 30V 600W DO-15 |
| 中文描述： | 單芯片8兆1兆x8或512KB的x16閃存和256千位并行EEPROM存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 29/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 253K |
| 代理商： | M39832-B12WNE1T |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁當(dāng)前第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁
Symbol
Alt
Parameter
M39832
Unit
-120
-150
Min
Max
Min
Max
t
WLWL
t
BLC
Byte Load Cycle (EEPROM)
0.2
150
0.2
150
μ
s
t
WHRH
t
WC
Write Cycle Time (EEPROM)
10
10
ms
t
AVAV
Address Valid to Next Address Valid
120
150
ns
t
WLEL
t
WS
Write Enable Low to Memory Block Enable Low
0
0
ns
t
ELEH
t
CP
Memory Block Enable Low to Memory Block
Enable High
50
65
ns
t
DVEH
t
DS
Input Valid to Memory Block Enable High
50
65
ns
t
EHDX
t
DH
Memory Block Enable High to Input Transition
0
0
ns
t
EHWH
t
WH
Memory Block Enable High to Write Enable High
0
0
ns
t
EHEL
t
CPH
Memory Block Enable High to Memory Block
Enable Low
30
35
ns
t
AVEL
t
AS
Address Valid to Memory Block Enable Low
0
0
ns
t
ELAX
t
AH
Memory Block Enable Low to Address Transition
50
65
ns
t
GHEL
Output Enable High to Memory Block Enable Low
0
0
ns
t
VCHWL
t
VCS
V
CC
High to Write Enable Low
50
50
μ
s
t
EHQV1
(1)
Memory Block Enable High to Output Valid
(Program)
15
15
μ
s
t
EHQV2
(1)
Memory Block Enable High to Output Valid
(Sector Erase)
2.0
30
2.0
30
sec
t
EHGL
t
OEH
Memory Block Enable High to Output Enable Low
0
0
ns
t
EHRL
(2)
t
DB
EEPROM Block Enable High to Ready/Busy Output
Low
150
150
ns
Notes:
1. Time is measured to Data Polling or Toggle Bit, t
WHQV
= t
WHQ7V
+ t
Q7VQV
.
2. With a 3.3K
pull-up resistor.
Table 15. Write AC Characteristics, EE or EF Controlled
(T
A
= 0 to 70
°
C or –40 to 85
°
C; V
CC
= 2.7V to 3.6V)
29/36
M39832
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M39832-B15WNE1T | TVS BI-DIR 30V 600W DO-15 |
| M39832-T12WNE6T | TVS UNI-DIR 33V 600W DO-15 |
| M39832-T15WNE6T | TVS BI-DIR 33V 600W DO-15 |
| M39832-B12WNE6T | RECTIFIER, BRIDGE, 600V, 6A, PB-6 |
| M39832-B15WNE6T | TVS UNI-DIR 51V 600W DO-15 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M39832-B12WNE6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Single Chip 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16 Flash and 256 Kbit Parallel EEPROM Memory |
| M39832-B15WNE1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Single Chip 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16 Flash and 256 Kbit Parallel EEPROM Memory |
| M39832-B15WNE6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Single Chip 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16 Flash and 256 Kbit Parallel EEPROM Memory |
| M39832NE | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Single Chip 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16 Flash and 256 Kbit Parallel EEPROM Memory |
| M39832-T12WNE1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Single Chip 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16 Flash and 256 Kbit Parallel EEPROM Memory |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。