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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M39832-B12WNE1T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | TVS UNI-DIR 30V 600W DO-15 |
| 中文描述： | 單芯片8兆1兆x8或512KB的x16閃存和256千位并行EEPROM存儲(chǔ)器 |
| 文件頁數(shù)： | 11/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 253K |
| 代理商： | M39832-B12WNE1T |
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Operation
EE EF
G
W
RP BYTE A0 A1 A6 A9
A12
A15
DQ15
A–1
DQ8-
DQ14
DQ0-DQ7
Block
Protection
(2,4)
V
IH
V
IL
V
ID
V
IL
Pulse
V
IH
X
X
X
X
V
ID
X
X
X
X
X
Blocks
Unprotection
(4)
V
IH
V
ID
V
ID
V
IL
Pulse
V
IH
X
X
X
X
V
ID
V
IH
V
IH
X
X
X
Block
Protection
Verify
(2,4)
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IL
V
IH
V
IL
V
ID
A12
A15
X
X
Block Protect
Status
(3)
Block
Unprotection
Verify
(2,4)
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IL
V
IH
V
IH
V
ID
A12
A15
X
X
Block Protect
Status
(3)
Block
Temporary
Unprotection
V
IH
X
X
X
V
ID
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
Write the
EEPROM
Identifier
(5)
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
A0
A1 V
IL
V
ID
X
X
A–1
X
64 Bytes User
Defined
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
A0
A1 V
IL
V
ID
X
X
X
X
64 Bytes User
Defined
Read the
EEPROM
Identifier
(5)
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
A0
A1 V
IL
V
ID
X
X
A–1
X
64 Bytes User
Defined
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
A0
A1 V
IL
V
ID
X
X
X
X
64 Bytes User
Defined
Notes:
1. X = V
or V
2. Block Address must be given on A12-A18 bits.
3. See Table 8.
4. Operation performed on programming equipment.
5. The 65 Bytes User defined EEPROM Identifier are accessed on DQ0-DQ7 with A0 to A5 when BYTE = 1 (x16) or with A–1 to A4
when BYTE = 0 (x8)
Table 6. User Bus Operations
(1)
Org.
Code
Device
EE
EF
G
W
BYTE
A0
A1
Other
Addresses
DQ15
A–1
DQ8-
DQ14
DQ0-
DQ7
Word-
wide
Manufacturer
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
Don’t Care
0
00h
20h
Flash
M39832-T
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
Don’t Care
0
00h
D7h
M39832-B
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
Don’t Care
0
00h
5Bh
Byte-
wide
Manufacturer
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
Don’t Care
Don’t
Care
Hi-Z
20h
Flash
M39832-T
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
Don’t Care
Don’t
Care
Hi-Z
D7h
M39832-B
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
Don’t Care
Don’t
Care
Hi-Z
5Bh
Table 7. Read Electronic Signature (following AS instruction or with A9 = V
ID
)
11/36
M39832
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M39832-B15WNE1T | TVS BI-DIR 30V 600W DO-15 |
| M39832-T12WNE6T | TVS UNI-DIR 33V 600W DO-15 |
| M39832-T15WNE6T | TVS BI-DIR 33V 600W DO-15 |
| M39832-B12WNE6T | RECTIFIER, BRIDGE, 600V, 6A, PB-6 |
| M39832-B15WNE6T | TVS UNI-DIR 51V 600W DO-15 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M39832-B12WNE6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Single Chip 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16 Flash and 256 Kbit Parallel EEPROM Memory |
| M39832-B15WNE1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Single Chip 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16 Flash and 256 Kbit Parallel EEPROM Memory |
| M39832-B15WNE6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Single Chip 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16 Flash and 256 Kbit Parallel EEPROM Memory |
| M39832NE | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Single Chip 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16 Flash and 256 Kbit Parallel EEPROM Memory |
| M39832-T12WNE1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Single Chip 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16 Flash and 256 Kbit Parallel EEPROM Memory |
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