- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359059 > M36WT864T10ZA6T (意法半導體) 64 Mbit 4Mb x16, Multiple Bank, Burst Flash Memory and 8 Mbit 512K x16 SRAM, Multiple Memory Product PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M36WT864T10ZA6T |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 64 Mbit 4Mb x16, Multiple Bank, Burst Flash Memory and 8 Mbit 512K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| 中文描述： | 64兆位4Mb的x16插槽，多銀行，突發(fā)閃存和8兆位的SRAM為512k x16，內(nèi)存產(chǎn)品多 |
| 文件頁數(shù)： | 55/92頁 |
| 文件大?。?/td> | 624K |
| 代理商： | M36WT864T10ZA6T |
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M36WT864TF, M36WT864BF
Figure 18. Flash Reset and Power-up AC Waveforms
Table 25. Flash Reset and Power-up AC Characteristics
Note: 1. The device Reset is possible but not guaranteed if t
PLPH
< 50ns.
2. Sampled only, not 100% tested.
3. It is important to assert RP in order to allow proper CPU initialization during Power-Up or Reset.
Symbol
Parameter
Test Condition
70
85
100
Unit
t
PLWL
t
PLEL
t
PLGL
t
PLLL
Reset Low to
Write Enable Low,
Chip Enable Low,
Output Enable Low,
Latch Enable Low
During Program
Min
10
10
10
μs
During Erase
Min
20
20
20
μs
Other Conditions
Min
80
80
80
ns
t
PHWL
t
PHEL
t
PHGL
t
PHLL
Reset High to
Write Enable Low
Chip Enable Low
Output Enable Low
Latch Enable Low
Min
30
30
30
ns
t
PLPH (1,2)
RP Pulse Width
Min
50
50
50
ns
t
VDHPH (3)
Supply Voltages High to Reset
High
Min
50
50
50
μs
AI06281
WF, EF, GF, LF
RP
VDD, VDDQ
tVDHPH
tPLPH
Power-Up
Reset
tPLWL
tPLEL
tPLGL
tPLLL
tPHWL
tPHEL
tPHGL
tPHLL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M36WT864TF | 64 Mbit 4Mb x16, Multiple Bank, Burst Flash Memory and 8 Mbit 512K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36WT864B85ZA6T | 64 Mbit 4Mb x16, Multiple Bank, Burst Flash Memory and 8 Mbit 512K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36WT864T70ZA6T | 64 Mbit 4Mb x16, Multiple Bank, Burst Flash Memory and 8 Mbit 512K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36WT864TFZA | 64 Mbit 4Mb x16, Multiple Bank, Burst Flash Memory and 8 Mbit 512K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36WT864BFZA | 64 Mbit 4Mb x16, Multiple Bank, Burst Flash Memory and 8 Mbit 512K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M36WT864T70ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x16, Multiple Bank, Burst Flash Memory and 8 Mbit 512K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36WT864T85ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x16, Multiple Bank, Burst Flash Memory and 8 Mbit 512K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36WT864TF | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x16, Multiple Bank, Burst Flash Memory and 8 Mbit 512K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36WT864TF70ZA6T | 功能描述:組合存儲器 64M (4Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:Microchip Technology 組織:512 K x 16 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 20 C 封裝 / 箱體:LFBGA-48 封裝:Tray |
| M36WT864TFZA | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x16, Multiple Bank, Burst Flash Memory and 8 Mbit 512K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
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